Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center


Независимые источники сигналов - часть 12


R1  1  0  1E9

R2  2  0  1E9

R3  3  0  1E9

R4  4  0  1E9

.IC  V(1)=0  V(2)=0.4

.TRAN  0.1s  40s  SKIPBP

Рис. 3.14. Функциональная схема моделирования системы двух дифференциальных уравнений (а) и ее реализация в виде принципиальной схемы (б)


 

 

3.2.6. Полупроводниковые приборы

 

Полупроводниковые приборы, математические модели которых встроены в программу PSpice, описываются большим количеством параметров, задаваемых с помощью директивы .MODEL. Перечень и смысл этих параметров подробно объясняется в гл. 4. Директиву .MODEL можно поместить в описание анализируемой схемы или в файл библиотеки, доступ к которому осуществляется с помощью директивы .LIB. Описание конкретного полупроводникового прибора содержит его имя, номера узлов подключения, имя модели и коэффициент кратности Area, с помощью которого имитируется параллельное включение нескольких одинаковых приборов.

 

Диод описывается предложением

 

Dxxx  <узел анода> <узел катода> <имя модели>

+   [<коэффициент кратности Area>]

 

Модель диода задается в виде

 

.MODEL <имя модели>  D [(параметры модели)]

 

Пример 1. Включим между узлами 1 и 2 диод D9, параметры которого вводятся с помощью директивы .MODEL

 

D1   1   2   D9B

.MODEL   D9B   D (IS=5UA  RS=14  BV=2.81  IBV=5UA)

 

Пример 2. Включим между узлами 1 и 2 диод D104A, параметры которого записаны в библиотечном файле d.lib

 

D1   1   2   D104A

.LIB   D.LIB

 

Биполярный транзистор

описывается предложением

 

Qxxx  <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера>

+ [<узел подложки>] <имя модели> [<коэффициент кратности Area>]

 

Модели биполярных транзисторов задаются в виде

 

.MODEL  <имя модели>  NPN [(параметры модели)]

.MODEL  <имя модели>  PNP [(параметры модели)]

.MODEL  <имя модели>  LPNP [(параметры модели)]

 

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом описывается предложением




Начало  Назад  Вперед