Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора - часть 3

 

где полиномиальная аппроксимация гиперболического тангенса имеет вид

Для модели TriQuit (LEVEL=3) в нормальном режиме

где

Idso = BETA·(Vgs – Vto)

 ·Kt,

Vto = VTO – GAMMA·Vds.

В инверсном режиме (Vds<0) токи стока и истока в приведенных выше соотношениях меняются местами.

Динамический режим. Емкость перехода исток–сток равна Cds=CDS (рис. 4.7, а).

В модели LEVEL=1 емкости Cgs, Cgd определяются выражениями:

емкость затвор–исток равна

емкость затвор–сток равна

В модели LEVEL=2 и 3 эти емкости определяются выражениями:

где

Линейная схема замещения транзистора. Схема приведена на рис. 4.7, б, где дополнительно включены источники флюктуационных токов. Тепловые шумы Iш

, Iш, Iш, создаваемые резисторами RS, RD

и RG, имеют спектральные плотности S

=4kT/RS, S=4kT/RD, S=4kT/RG.

Источник тока Iшd, характеризующий дробовой и фликкер-шум, имеет спектральную плотность S

 = 8k·T·Gm/3 + KF·Id/f, где Gm = dIdrain/dVgs –дифференциальная проводимость в рабочей точке по постоянному току.

Температурные эффекты  описываются зависимостями:

IS(T)=IS·exp[EG/(Vt·N) ·(T/Tnom–1)] ·(T/Tnom)

;

VBI(T)=VBI·T/Tnom–3Vt(T)ln(T/Tnom) –EG(Tnom)·T/Tnom+EG(T);

CGS(T)=CGS{1+M[0,0004(T–Tnom)+1–VBI(T)/VBI]};

CGD(T)=CGD{1+M[0,0004 (T–Tnom)+1–VBI(T)/VBI]};

VTO(T)=VTO+VTOTC·(T–Tnom);

BETA(T)=BETA·1,01

;

RG(T)=RG(1+TRG1(T–Tnom));

RD(T)=RD(1+TRD1(T–Tnom));

RS(T)=RS(1+TRS1(T–Tnom));

KF(T)=KF·VBI(T)/VBI,  AF(T)=AF·VBI(T)/VBI.

Скалярный коэффициент Area  позволяет учесть параллельное соединение однотипных транзисторов, для чего в приведенной выше модели изменяются следующие параметры:

IS=IS·Area, BETA=BETA·Area, RD=RD/Area, RS=RS/Area,

CGS=CGS·Area, CGD=CGD·Area, CDS=CDS·Area.

Значение Area указывается в задании на моделирование при включении транзистора в схему (п. 3.2.6), по умолчанию Area=1.

Содержание  Назад  Вперед