Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора - часть 3
где полиномиальная аппроксимация гиперболического тангенса имеет вид
Для модели TriQuit (LEVEL=3) в нормальном режиме
где
Idso = BETA·(Vgs – Vto)
Vto = VTO – GAMMA·Vds.
В инверсном режиме (Vds<0) токи стока и истока в приведенных выше соотношениях меняются местами.
Динамический режим. Емкость перехода исток–сток равна Cds=CDS (рис. 4.7, а).
В модели LEVEL=1 емкости Cgs, Cgd определяются выражениями:
емкость затвор–исток равна
емкость затвор–сток равна
В модели LEVEL=2 и 3 эти емкости определяются выражениями:
где
Линейная схема замещения транзистора. Схема приведена на рис. 4.7, б, где дополнительно включены источники флюктуационных токов. Тепловые шумы Iш
и RG, имеют спектральные плотности S
Источник тока Iшd, характеризующий дробовой и фликкер-шум, имеет спектральную плотность S
Температурные эффекты описываются зависимостями:
IS(T)=IS·exp[EG/(Vt·N) ·(T/Tnom–1)] ·(T/Tnom)
VBI(T)=VBI·T/Tnom–3Vt(T)ln(T/Tnom) –EG(Tnom)·T/Tnom+EG(T);
CGS(T)=CGS{1+M[0,0004(T–Tnom)+1–VBI(T)/VBI]};
CGD(T)=CGD{1+M[0,0004 (T–Tnom)+1–VBI(T)/VBI]};
VTO(T)=VTO+VTOTC·(T–Tnom);
BETA(T)=BETA·1,01
RG(T)=RG(1+TRG1(T–Tnom));
RD(T)=RD(1+TRD1(T–Tnom));
RS(T)=RS(1+TRS1(T–Tnom));
KF(T)=KF·VBI(T)/VBI, AF(T)=AF·VBI(T)/VBI.
Скалярный коэффициент Area позволяет учесть параллельное соединение однотипных транзисторов, для чего в приведенной выше модели изменяются следующие параметры:
IS=IS·Area, BETA=BETA·Area, RD=RD/Area, RS=RS/Area,
CGS=CGS·Area, CGD=CGD·Area, CDS=CDS·Area.
Значение Area указывается в задании на моделирование при включении транзистора в схему (п. 3.2.6), по умолчанию Area=1.