Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center



Диод


Схема замещения полупроводникового диода (рис. 4.1) состоит из идеального диода, изображенного в виде нелинейного зависимого источника тока I(V), емкости p–n-перехода C и объемного сопротивления RS [1, 33]. Параметры математической модели диода (см. разд. 3.2.6) приведены в табл. 4.1.

Таблица 4.1

Имя параметра

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

IS

Ток насыщения при температуре 27

С

10

 

А

RS

Объемное сопротивление

0

Ом

N

Коэффициент инжекции

1

ISR

Параметр тока рекомбинации

0

А

NR

Коэффициент эмиссии для тока ISR

2

IKF

Предельный ток при высоком уровне инжекции

 

А

TT

Время переноса заряда

0

с

CJO

Барьерная емкость при нулевом смещении

0

Ф

VJ

Контактная разность потенциалов

1

В

M

Коэффициент лавинного умножения

0,5

EG

Ширина запрещенной зоны

1,11

эВ

FC

Коэффициент нелинейности  барьерной емкости прямосмещенного перехода

0,5

BV

Обратное напряжение пробоя (положительная величина)

 

В

IBV

Начальный ток пробоя, соответствующий напряжению BV (положительная величина)

10

 А

NBV

Коэффициент неидеальности на участке пробоя

1

IBVL

Начальный ток пробоя низкого уровня

0

А

NBVL

Коэффициент неидеальности на участке пробоя низкого уровня

1

XTI

Температурный коэффициент тока насыщения

3

TIKF

Линейный температурный коэффициент IKF

0

C

TBV1

Линейный температурный коэффициент BV

0

C

TBV2

Квадратичный температурный коэффициент BV

0

C

TRS1

Линейный температурный коэффициент RS

0

C

TRS2

Квадратичный температурный коэффициент RS

0

C

KF

Коэффициент фликкер-шума

0

AF

Показатель степени в формуле фликкер-шума

1

T_MEASURD

Температура измерений

C

T_ABS

Абсолютная температура

C

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

C

T_REL_LOCL

Разность между температурой диода и модели-прототипа

C

<


Содержание  Назад  Вперед