Диод - часть 3

EG(T) = EGo –

/(b + T),

где EG(Tnom) - ширина запрещенной зоны при номинальной температуре (1,11 эВ для кремния; 0,67 эВ для германия; 0,69 эВ для диодов с барьером Шотки при температуре 27

С). Значения параметров IS, Vt, VJ, CJO, KF, AF, EG берутся для номинальной температуры Tnom; для кремния EGo=1,16 эВ, а=0,000702, b=1108; XTI=3 для диодов с p–n-переходом и XTI=2 для диодов с барьером Шотки. Значение номинальной температуры Tnom устанавливается с помощью опции TNOM (по умолчанию Tnom=27

C).

Приведенные выше выражения описывают диоды с p–n-переходом, включая и стабилитроны. Диоды с барьером Шотки также характеризуются этими зависимостями, но они обладают пренебрежимо малым временем переноса TT~0 и более чем на два порядка большими значениями тока диода I

[33]. При этом ток насыщения определяется зависимостью IS = = K·T·exp(-

/Vt), где K – эмпирическая константа;

– высота барьера Шотки.

Скалярный множитель Area. Указываемый при включении диода в схему (разд. 3.2.6), он позволяет в программе PSpice определить эквивалентный диод, характеризующий параллельное включение нескольких одинаковых приборов или прибор, занимающий большую площадь. С его помощью изменяются значения параметров IS, IRS, IBV, IBVL, RS и CJO

IS=IS·Area, ISR=ISR·Area, IBV=IBV·Area, IBVL=IBVL·Area, RS=RS/Area, CJO=CJO·Area.

По умолчанию скалярный множитель Area=1.

В качестве примера приведем описание параметров модели диода Д104А

.model D104A D (IS=5.81e-12 RS=8.1 N=1.15 TT=8.28nS

+ CJO=41.2pF VJ=0.71 M=0.33 FC=0.5 EG=1.11 XTI=3)

Содержание Назад Вперед